Главная / Направления / Энергонезависимая память и нейроморфные устройства

Энергонезависимая память и нейроморфные устройства

Устройства памяти на сегнетоэлектрическом HZO в топологии MFMFET. Проект ИНМЭ РАН совместно с площадкой Физтеха.

Материалы направления

Второе изделие каталога. Направление: энергонезависимая память.

DOI, авторы, журнал, год — на странице записи.